Los semiconductores de gran espacio como el nitruro de galio GaN se usan ampliamente para dispositivos ópticos como el LED azul y también se anticipan como materiales para dispositivos de energía de ahorro de energía de próxima generación y células solares. Sin embargo, la calidad de los cristales de GaN nollegar a la de los materiales semiconductores convencionales como el silicio Si y esto evita que GaN se utilice para dispositivos de alimentación.
Por esa razón, se espera el establecimiento de tecnología para producir cristales de alta calidad con menos defectos y reordenamiento, y el desarrollo de una nueva tecnología de evaluación es crucial.
Un grupo de investigadores dirigido por Iwao Kawayama, profesor asociado del Instituto de Ingeniería Láser de la Universidad de Osaka, en cooperación con Screen Holdings Co., Ltd., logró visualizar cambios en la densidad de defectos en la superficie de GaN a través del lásermicroscopio de emisión de terahercios LTEM que mide las ondas THz generadas por la emisión láser. El descubrimiento de este grupo muestra que LTEM es útil como un nuevo método para evaluar la calidad de los semiconductores de gran espacio y también se espera que LTEM logre un gran avance en el desarrollode dispositivos ópticos de próxima generación, dispositivos de súper alta frecuencia y dispositivos de energía.
El grupo examinó la distribución de intensidad de THz generada al irradiar pulsos de láser de femtosegundo ultravioleta en la superficie del cristal de GaN a través de LTEM. Como resultado, se descubrió que había regiones con alta intensidad de emisión de THz y otras con baja intensidad de THzemisión.
Además, cuando la imagen LTEM se comparó con la imagen obtenida a través de fotoluminiscencia PL utilizando un método convencional, se encontró que había una fuerte correlación entre la distribución de la intensidad de emisión debido a defectos en la red y la distribución de intensidad de la onda THzemisión.
Además, desde la medición de los resultados hasta la modificación de los láseres excitados, se confirmó que la emisión de THz necesita luz de excitación con una energía mayor que la energía del intervalo de banda.
Esta investigación apareció en la versión electrónica de Informes científicos el 9 de septiembre de 2015.
Fuente de la historia :
Materiales proporcionado por Universidad de Osaka . Nota: El contenido puede ser editado por estilo y longitud.
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