En los Programas de Investigación Básica Estratégica de la Agencia de Ciencia y Tecnología de Japón, el Profesor Asociado Toshiaki Kato y el Profesor Toshiro Kaneko del Departamento de Ingeniería Electrónica, Escuela de Graduados de Ingeniería, Universidad de Tohoku lograron aclarar un nuevo mecanismo de síntesis con respecto a dichoslcogenuros de metales de transición TMD 1, que son láminas atómicas semiconductoras que tienen un grosor en orden atómico.
Debido a que es difícil observar directamente el aspecto del proceso de crecimiento de TMD en un entorno especial, el proceso de crecimiento inicial no fue claro, y ha sido deseable dilucidar un mecanismo detallado de síntesis para obtener TMD de alta calidad.
Un método de síntesis de observación in situ2 ha sido desarrollado por nuestro grupo de investigación para examinar el aspecto de crecimiento de TMD como imagen óptica en tiempo real en una atmósfera especial de alta temperatura de aproximadamente 800 ° C en presencia de gases corrosivos.Además, se ha desarrollado de antemano un sustrato de síntesis, que es un mecanismo para controlar la difusión durante el crecimiento cristalino de un precursor3;Además, se ha aclarado que el precursor en crecimiento difunde una distancia aproximadamente 100 veces mayor que en los materiales semiconductores convencionales.También se demostró que la nucleación se produce debido a la participación del precursor en un estado de gota.Además, al utilizar este método, se ha logrado una integración a gran escala de más de 35,000 láminas atómicas monocristalinas monocapa en un sustrato en una escala práctica.
Utilizando los resultados de la presente investigación, la integración a gran escala de láminas atómicas de semiconductores de espesor atómico4 se puede fabricar y se espera que se ponga en práctica en el campo de la electrónica flexible de próxima generación.
Notas
1 Dichalcogenuros de metales de transición: TMD
Los materiales de la capa atómica son similares al grafeno. Este material tiene una estructura en la cual se intercala un metal de transición entre los átomos de calcógeno. El grafeno muestra características de conducción metálica, pero TMD tiene un intervalo de banda para mostrar las propiedades de los semiconductores y se espera que se aplique en elcampo de dispositivos semiconductores.
2 Método de síntesis de monitoreo in situ
Una técnica de crecimiento de cristales capaz de monitorear los estados de síntesis en tiempo real.
3 Precursor
Materia prima para el crecimiento de cristales. Cuando se incorpora al cristal, una parte o la totalidad se convierte en un elemento que constituye el cristal.
4 Orden atómico
El tamaño de un átomo es de varios angstroms un angstrom es una diez billonésima parte de un metro. Esto significa el tamaño de uno a varios átomos integrados.
Fuente de la historia :
Materiales proporcionado por Agencia de Ciencia y Tecnología de Japón . Nota: El contenido puede ser editado por estilo y longitud.
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